KEMET陶瓷堆疊電容L1GN70G473KA10

KEMET 電源解決方案 - 低損耗 (KPS MCL) 高溫 SMPS 陶瓷堆疊電容器將堅固且專有的 C0G/NPO 賤金屬電極 (BME) 介電系統(tǒng)與耐用的引線框架技術相結合，適用于高溫和高功率 SMPS 應用。 這些設備專為滿足惡劣工業(yè)環(huán)境的需求而設計，例如井下石油勘探和汽車/航空電子發(fā)動機艙電路。

KPS-MCL 由大型芯片多層陶瓷電容器 (MLCC) 構成，垂直堆疊并使用高熔點 (HMP) 焊料合金固定到引線框架終端系統(tǒng)。在引線框架中垂直堆疊電容器可實現(xiàn)更低的 ESR（低損耗）和熱阻，從而轉化為非常高的紋波電流能力。引線框架將 MLCC 與印刷電路板 (PCB) 隔離，同時建立并聯(lián)電路配置。

將電容器與 PCB 機械隔離可提高機械和熱應力性能，而并聯(lián)電路配置允許在相同或更小的設計占位面積中使用大容量電容。

KEMET 的高溫 C0G 電容器具有溫度補償功能，非常適合諧振電路應用，或需要 Q 和電容特性穩(wěn)定性的應用。它們的電容隨時間和電壓沒有變化，相對于環(huán)境溫度，電容的變化可以忽略不計。從 -55°C 到 +200°C，電容變化限制在 ±30 ppm/ºC。此外，這些電容器在高達 +200°C 的高溫下表現(xiàn)出高絕緣電阻和低損耗因數(shù)。它們還在高頻下表現(xiàn)出低 ESR，并提供比競爭性高溫 BME 陶瓷電容器器件更高的容積效率。

• 低損耗
• 低 ESR 和 ESL
• 高熱穩(wěn)定性
• 高紋波電流能力
• 用于“通孔”安裝的直針引線
• 形成“J”和“L”引線用于表面安裝
• 工作溫度范圍為 −55°C 至 +200°C
• 案例代碼（案例尺寸） – 69 (2220) 和 70 (2225)
• 直流電壓額定值為 200 – 2,000 V
• 電容產品范圍為 11 nF – 1.2 µF
• 工業(yè)級
• 占用空間更小的高頻性能和大容量電容

1.DWV 是電容器在短時間內可以承受的電壓。 它超過了電容器的標稱和連續(xù)工作電壓。

2.在以下條件下測量的電容和損耗因數(shù) (DF)：

如果電容 ≤ 1,000 pF，則為 1 MHz ±100 kHz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

如果電容 > 1,000 pF，則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 ±0.2 Vrms。

3.要獲得 IR 限制，請將 MΩ - µF 值除以電容并與 GΩ 限制進行比較。選擇兩個限制中較低的一個。

注意：測量電容時，重要的是要確保設置的電壓電平保持恒定。 HP4284 和 Agilent E4980 具有稱為自動電平控制 (ALC) 的功能。ALC 功能應該切換到“ON”。

• 工業(yè)的
• 井下
• 國防和航空航天
• 混合動力和電動汽車（HEV、BEV）
• 開關電源
• 電源的輸入和輸出濾波，通常出現(xiàn)在“電容器組”上
• 緩沖電路和直流鏈路
• 諧振電路