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在晶圓上而非封裝內測試 Si 和GaN/SiC 器件時,研發(fā)工程師和測試操作員面臨著收集高精度數據的一些挑戰(zhàn)。其中包括需要在高電壓下抗電弧的探針和系統、用于高電流的低電阻探針和晶圓接觸,以及對薄晶圓的特殊處理。同時,對“快速獲取準確數據”的需求需要快速輕松地設置復雜的高功率測試配置,同時考慮到操作員和設備。Keysight的緊密集成儀器完善了系統,以提供測量精度和可重復性。
來自 FormFactor 的預先驗證、交鑰匙、綜合、集成的測量系統為重要的測試應用提供安心和即時、開箱即用的生產力。
這些是免費提供的。FormFactor 的 IMS 解決方案不包括Keysight定價或集成費用的加價。
這個功率半導體器件表征系統建立在研發(fā)儀器領域和分析探針系統領域——FormFactor IMS-K-Power 的基礎之上。
配備 Keysight PDA 的全面、交鑰匙集成測量系統 (IMS) 用于晶圓上研發(fā)功率半導體器件特性測量
業(yè)界有效率、準確的功率半導體器件表征系統
實現高質量測量的更快、更經濟的途徑
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