三維垂直堆疊內(nèi)存架構為閃存存儲帶來了指數(shù)級的提升，但也在設備制造和集成層面帶來了根本性的新挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)影響著閃存產(chǎn)品鏈的方方面面，從設計到供應，再到材料處理、制造和交付。隨著架構從 64 垂直層發(fā)展到 96、128 甚至更多層，這些挑戰(zhàn)將變得更加嚴峻。我們了解其中的許多挑戰(zhàn)，并擁有理想的解決方案。

了解閃存的未來 3D NAND

您可能還不了解 3D NAND，但您應該了解它。這種分層形式的閃存為存儲工廠運行所需的所有數(shù)據(jù)提供了一種經(jīng)濟高效的方法。您還應該了解其中的技術挑戰(zhàn)。

三維 NAND 挑戰(zhàn)和 entegris 解決方案

三維垂直堆疊內(nèi)存架構為閃存存儲帶來了指數(shù)級的提升，但同時也在設備制造和集成層面帶來了根本性的新挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)影響著閃存生產(chǎn)鏈的方方面面，從設計到供應，再到材料處理、制造和交付。

隨著架構從 64 垂直層發(fā)展到 96、128 甚至更多層，這些挑戰(zhàn)將變得更加嚴峻。

我們了解其中的許多挑戰(zhàn)，并擁有理想的解決方案。

產(chǎn)品解決方案

材料純度和性能

工藝純度和缺陷控制在 3D NAND 工藝中至關重要。3D NAND 設計和制造的整體復雜性增加了工廠在污染控制方面面臨的挑戰(zhàn)。每一代 3D NAND 對污染都越來越敏感。材料純度變得更加重要，因為缺陷會產(chǎn)生更大的影響。隨著堆棧中晶體管數(shù)量的增加，一個缺陷可能會堵塞多個單元，并更容易導致整個器件損壞。我們的 Purasol SP/SN 溶劑凈化器、Microgard過濾器和 Oktolex  Impact 8G 光化學過濾器解決方案可以去除顆粒、凝膠和金屬，減少光刻應用中的電氣故障，幫助提高工藝純度。原子層沉積 (ALD) 化學前驅體通常是含碳分子。如果存儲單元堆疊較大（96 層或更多），含碳副產(chǎn)物在底部的停留時間可能長于頂部，從而導致沉積厚度差異。請向我們咨詢無碳前驅體和前驅體輸送系統(tǒng)，如 ProE-Vap 輸送系統(tǒng)，該系統(tǒng)可提供充足的流量和較高的前驅體利用率，同時將浪費降至最低。

深度蝕刻結構

對于深度蝕刻結構，需要非常厚的高粘度光刻膠層（約 1000 cps）來確定非晶碳硬掩膜層。這種粘度水平會在光刻膠涂敷過程中形成微氣泡，從而在后續(xù)圖案化過程中產(chǎn)生缺陷。3D NAND 工藝對光刻缺陷更為敏感，因為其尺寸更?。ɡ纾瑴系乐睆郊s為 50 nm）。要最大限度地減少氣泡，需要一種新穎的泵送高粘度光刻膠的方法。我們提供帶有 Impact過濾器的 IntelliGen雙級泵，用于過濾、去除氣泡和穩(wěn)定的高粘度光阻分配。此外，我們的襯墊式光刻膠噴點系統(tǒng)（包括 NOWPak罐裝系統(tǒng)和 PDMPak及 NOWPak 瓶裝系統(tǒng)）可準確噴點高粘度光刻膠，不會產(chǎn)生氣泡或污染。

從上到下的一致性

隨著多層堆棧高度的增加，在存儲器陣列頂部和底部實現(xiàn)一致的蝕刻和沉積剖面也變得越來越困難。例如，當比率為 ~100:1 時，選擇性去除存儲器堆棧中的 Si3N4 就成為濕法蝕刻的一項挑戰(zhàn)。難點在于如何在不蝕刻任何二氧化硅的情況下，始終如一地去除堆棧頂部和底部以及整個晶片上的 Si3N4。在 96 層以下，可以使用熱磷酸（約 160°C）來完成這項任務；但在 96 層及以上，則需要使用專門配制的濕蝕刻化學藥劑。我們可以提供這些配方化學藥劑，以提高工藝利潤。

避免排隊時間缺陷

考慮到大量的深溝道孔（每個芯片超過 20 億個）和堆棧厚度，每一代 3D NAND 產(chǎn)品在高縱橫比 (HAR) 刻蝕步驟中產(chǎn)生的副產(chǎn)物量都會變得越來越大。由于制程步驟較長，一批晶片通常會在前開式統(tǒng)一存儲艙（FOUP）中停留較長時間，副產(chǎn)品會吸附在 FOUP 內(nèi)部表面，并在排隊期間轉移到晶片上。為了防止副產(chǎn)品吸附到微環(huán)境中，我們提供了一種創(chuàng)新的 Spectra EBM FOUP，這種 FOUP 帶有擴散器吹掃功能，它使用了一種帶有濕氣屏障的特殊聚合物材料，能夠更有效地抽走副產(chǎn)品，從而減少排隊時間的缺陷。